Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S1336-18BQ фотодіод Si, 1.1 × 1.1mm, 190-1100nm, TO-18
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1336-18BQSi photodiode
Особливості:
- Висока чутливість в УФ діапазоні
- Низька ємність
- Висока надійність
Характеристики
Спектральній діапазон мін. нм 190 нм Спектральній діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання TO-18 Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 1.1 × 1.1 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 5 В Типова фоточутливість 0.5 А/Вт Макс. темновий струм 20 пA Типовий час наростання 0.1 мкс Термінальна ємність 20 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії