Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
3 Квітня 2023
Нова світлодіодна УФ-піч від UWAVE
28 Березня 2023
Нові потужні УФ-LED джерела світла для полімеризації від UWAVE
Hamamatsu S12498 фотодіод Si, 6.0×6.0 mm, 400-1100nm, back-illuminated
Новинка
Артикул:
S12498
для неруйнівного контролю, 6,0 × 6,0 мм, 400-1100 нм, 0.57 А/Вт, S12498 Хамамацу
Детальніше
Є в наявності (2)
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод для рентгенівського неруйнівного контролю Hamamatsu S12498
Si photodiode, x-ray non-destructive inspection
Кремнієвий фотодіод зі зворотнім освітленням (back-illuminated), який не містить проводів на фоточутливій поверхні
тому сцинтилятор може бути встановлено безпосередньо на фотодіод.
Особливості- Спектральний діапазон: от 400 до 1100 нм
- Фоточутлива поверхня: 6,0 × 6,0 мм
- Легкий монтаж сцинтилятора безпосередньо на фотодіод
Характеристики
Матеріал / Тип Si Спектральний діапазон мін. нм 400 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання PWB Пік спектрального діапазону, нм 920 нм Розмір фоточутливої поверхні (діаметр або ширина) 5.1 мм - 10 мм Особливості back-illuminated Розмір фоточутливої поверхні 6.0 × 6.0 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.57 А/Вт Макс. темновий струм 150 пA Типовий час наростання 15 мкс Термінальна ємність 380 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії