Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
Hamamatsu S1227-16BQ фотодіод Si, 5.9 × 1.1mm, 190 - 1000nm, high UV sensitivity
Артикул:
S1227-16BQ
Спектральний діапазон:190 до 1000 нм,
фоточутливість - 0.36 A/Вт, розмір - 5.9 × 1.1 мм
фоточутливість - 0.36 A/Вт, розмір - 5.9 × 1.1 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1227-16BQ
Si photodiode
Спектральний діапазон від ультрафіолетового до видимого, для точної фотометрії.
Особливості:
- Висока чутливість в УФ діапазоні: QE＝75 % (λ=200 нм)
- Низький темновий струм
- Зменшена чутливості в ІЧ діапазоні
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 190 нм Спектральний діапазон макс. нм 1000 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 720 нм Розмір фоточутливої поверхні 5.9 × 1.1 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 5 В Типова фоточутливість 0.36 А/Вт Макс. темновий струм 5 пА Типовий час наростання 0.5 мкс Термінальна ємність 170 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії