Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S1223 фотодіод Si PIN, 2.4 × 2.8mm, 320 - 1100nm
Артикул:
S1223
2.4 × 2.8мм, 320 - 1100нм, 0.52 А/Вт
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1223
Si PIN photodiode
Особливості:
- Висока чутливість у видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні
- Висока надійність
- Висока швидкість відгуку: fc = 30 МГц
- Низька ємність
Характеристики
Спектральній діапазон мін. нм 320 нм Спектральній діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання TO-5 Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 2.4 × 2.8 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 30 В Типова фоточутливість 0.52 А/Вт Макс. темновий струм 10000 пA Частота зрізу 30 МГц Термінальна ємність 10 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії