Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S12158-01CT фотодіод Si PIN, 2.77 × 2.77mm, 320 - 1100nm, COB
Артикул:
S12158-01CT
2.77 × 2.77 мм, 320 - 1100 нм, 0.7 А/Вт, COB, S12028 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S12158-01CT
Si PIN photodiode
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S12158-01CT для видимого до ближнього інфрачервоного випромінювання в корпусі COB (chip on board) для поверхневого монтажу.
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання COB Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 2.77 × 2.77 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 20 В Типова фоточутливість 0.7 А/Вт Макс. темновий струм 10 пА Частота зрізу 25 МГц Термінальна ємність 15 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії