Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
8 Червня 2018
Підбірка новин Hamamatsu News 2018 Vol. 1
Hamamatsu S12051 фотодіод Si APD, Ø0.5mm, 400 - 1000nm, TO-18
Артикул:
S12051
Спектральний діапазон - 400 до 1000 нм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 0.5 мм
розмір фоточутливої поверхні - Ø 0.5 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий лавинний фотодіод (Si APD) Hamamatsu S12051Si APD photodiode
Особливості- Стабільна робота при низькому зміщенні
- Високошвидкісний відгук
- Висока чутливість та низький рівень шуму
Характеристики
Спектральній діапазон мін. нм 400 нм Спектральній діапазон макс. нм 1000 нм Корпус / Виконання TO-18 Пік спектрального діапазону, нм 800 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅0.5 мм Типова фоточутливість 0.5 А/Вт Макс. темновий струм 1 нА Частота зрізу 900 МГц Термінальна ємність 2 пФ Типова пробивна напруга 150 В Температурний коефіцієнт пробивної напруги (тип) 0.65 В/℃ Типове підсилення 100 -
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе компании.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.