Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S11499 фотодіод Si PIN, Ø3mm, 360 - 1140nm, TO-5, MEMS
Артикул:
S11499
Спектральний діапазон: 360 до 1140 нм,
фоточутливість - 0.6 A/Вт, розмір - Ø 3 мм
фоточутливість - 0.6 A/Вт, розмір - Ø 3 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S11499
Si PIN photodiode
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S11499 з підвищенною чутливістю в ближньому інфрачервоному діапазоні,
побудований на основі MEMS технології.Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 360 нм Спектральний діапазон макс. нм 1140 нм Корпус / Виконання TO-5 Пік спектрального діапазону, нм 1000 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅3 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 30 В Типова фоточутливість 0.6 А/Вт Макс. темновий струм 5000 пА Частота зрізу 30 МГц Термінальна ємність 13 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії