Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
15 Березня 2018
Термоаналізатори SETARAM для ядерного палива та відходів
29 Січня 2018
Підбірка новин Hamamatsu News 2017 Vol. 2
Hamamatsu S11499 фотодіод Si PIN, Ø3mm, 360 - 1140nm, TO-5, MEMS
Артикул:
S11499
Спектральний діапазон: 360 до 1140 нм,
фоточутливість - 0.6 A/Вт, розмір - Ø 3 мм
фоточутливість - 0.6 A/Вт, розмір - Ø 3 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S11499
Si PIN photodiode
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S11499 з підвищенною чутливістю в ближньому інфрачервоному діапазоні,
побудований на основі MEMS технології.Характеристики
Спектральній діапазон мін. 360 нм Спектральній діапазон макс. 1140 нм Корпус / Виконання TO-5 Пік спектрального діапазону 1000 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅3 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 30 В Типова фоточутливість 0.6 А/Вт Макс. темновий струм 5000 пА Частота зрізу 30 МГц Термінальна ємність 13 пФ -
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе компании.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.