Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
Hamamatsu S1133 фотодіод Si, 2.8×2.4 mm, 320-730nm
Артикул:
S1133
низький темновий струм, 2.8 × 2.4 мм, 320-730 нм, 0.3 А/Вт, S1133 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1133
Si photodiode
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 730 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 560 нм Розмір фоточутливої поверхні 2.8 × 2.4 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.3 А/Вт Макс. темновий струм 10 пA Типовий час наростання 2.5 мкс Термінальна ємність 700 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії