Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
8 Червня 2018
Підбірка новин Hamamatsu News 2018 Vol. 1
Hamamatsu S11142-10 фотодіод Si, 14 x 14mm, 1 keV
Артикул:
S11142-10
14 × 14 мм, 1кеВ, S11142-10 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S11142-10
Si photodiode
Кремнієвий фотодіод для детекції зворотно-розсіяних електронів в електронно скануючому мікроскопі, висока чутливість, детектування часток з низькою енергією (1 кеВ і більше)
Особливості:
- Підсилення: 300 разів
- Висока ефективність детектування: 72 %
- Велика площа світлочутливої поверхні: 14 × 14 мм
- Отвір у центрі світлочутливої поверхні діаметром 2 мм
- 4-елементний фотодіод
- Тонкий керамічний корпус
Характеристики
Корпус / Виконання кераміка Розмір фоточутливої поверхні 14 x 14 мм Кількість елементів 4 Макс. зворотна напруга 20 В Макс. темновий струм 60000 пА Частота зрізу 5 МГц Термінальна ємність 200 пФ -
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе компании.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.