Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S10993-02CT фотодіод Si PIN, 1.06 × 1.06mm, 380 - 1100nm, COB
Артикул:
S10993-02CT
1.06 × 1.06 мм, 380 - 1100 нм, 0.6 А/Вт, S10993-02CT Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S10993-02CT
Si PIN photodiode
Si PIN фотодіод Hamamatsu S10993-02CT для видимого та ближнього інфрачервоного діапазону в корпусі COB (chip on board) для поверхневого монтажу.Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 380 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання COB Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 1.06 × 1.06 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.6 А/Вт Макс. темновий струм 1000 пА Частота зрізу 10 МГц Термінальна ємність 6 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії