Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
Hamamatsu S1087-01 фотодіод Si, 1.3×1.3 mm, 320-1100nm
Артикул:
S1087-01
низький темновий струм, 1.3×1.3 мм, 320-1100 нм, 0.58 А/Вт, S1087-01 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S1087-01
Si photodiode
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 320 нм Спектральний діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 1.3 × 1.3 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.58 А/Вт Макс. темновий струм 10 пA Типовий час наростання 0.5 мкс Термінальна ємність 200 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії