Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S10783 фотодіод Si PIN, Ø0.8mm, 330 - 1040nm
Артикул:
S10783
Ø 0.8 мм, 330 - 1040 нм, 0.52 А/Вт, S10783 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S10783
Si PIN photodiode
S10783 - високошвидкісний детектор APC (auto power control), розроблений для контролю лазерних діодів з максимальною довжиною хвилі 660 нм або 780 нм.
Особливості
- Високошвидкісний відгук: 300 МГц тип. (λ = 650 нм, VR = 2,5 В), 250 МГц тип. (λ = 780 нм, VR = 2,5 В)
- Висока чутливість: 0.46 A / Вт тип. (λ = 650 нм)
- Поверхневий монтаж
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 330 нм Спектральний діапазон макс. нм 1040 нм Корпус / Виконання пластик Пік спектрального діапазону, нм 760 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅ 0.8 мм Кількість елементів 1 Макс. зворотна напруга 20 В Типова фоточутливість 0.52 А/Вт Макс. темновий струм 1000 пА Частота зрізу 250 МГц Термінальна ємність 4.5 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії