Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu S10356-01 фотодіод Si, 2.5 × 2.5mm, 400 - 1100nm, back-illuminated
Артикул:
S10356-01
Спектральний діапазон: 400 до 1100 нм,
фоточутливість - 0.59 A/Вт, розмір - 2.5 × 2.5 мм
фоточутливість - 0.59 A/Вт, розмір - 2.5 × 2.5 мм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S10356-01
Si photodiode
Кремнієвий фотодіод Hamamatsu S10356-01 з зворотнім підсвічуванням, призначений для мінімізації мертвих
ділянок на краях пристрою, використовуючи структуру CSP
Характеристики
Спектральній діапазон мін. нм 400 нм Спектральній діапазон макс. нм 1100 нм Корпус / Виконання CSP Пік спектрального діапазону, нм 960 нм Розмір фоточутливої поверхні 2.5 × 2.5 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Макс. зворотна напруга 10 В Типова фоточутливість 0.59 А/Вт Макс. темновий струм 300 пА Типовий час наростання 15 мкс Термінальна ємність 60 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії