Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu G8370-10 фотодіод InGaAs PIN, Ø10mm, 0.9 - 1.7μm
Артикул:
G8370-10
Розмір світлочутливої поверхні - φ10 мм,
спектральний діапазон - 0.9 до 1.7 мкм
спектральний діапазон - 0.9 до 1.7 мкм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G8370-10
InGaAs PIN photodiode
Особливості:- Низький темновий струм.
- Велика активна поверхня: 10 мм діаметр.
- Висока фоточутливість - 0.95 A/Вт (тип) при λ = 1.55 мкм
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 1700 нм Корпус / Виконання кераміка Пік спектрального діапазону, нм 1550 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅10 мм Макс. зворотна напруга 1 В Типова фоточутливість 0.95 А/Вт Макс. темновий струм 2 мкА Частота зрізу 100 кГц Термінальна ємність 20 нФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії