Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
8 Червня 2018
Підбірка новин Hamamatsu News 2018 Vol. 1
Hamamatsu G5842 фотодіод GaAsP, 0.8 x 0.8mm, 260 - 400nm
Артикул:
G5842
0.8 x 0.8 мм, 260 - 400 нм, G5842 Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
Технічний довідник
- Опис
- Задати питання
-
GaAsP фотодіод Hamamatsu G5842
GaAsP photodiode
GaAsP фотодіод Hamamatsu G5842 - фотодетектор з обмеженою чутливістю в довгохвильовому діапазоні.
Особливості
- Низький темновий струм
- Вузький діапазон спектралтного відгуку
Характеристики
Розмір світлочутливої поверхні 2.3 x 2.3 мм Кількість елементів 1 Виконання металевий Тип TO-5 Спектральний діапазон 190 до 680 нм Пік спектрального діапазону 610 нм Типова фоточутливість 0.18 A/Вт Типовий час наростання 3.5 мкс Спектральній діапазон мін. нм 260 нм Спектральній діапазон макс. нм 400 нм Корпус / Виконання пластик Пік спектрального діапазону, нм 370 нм Розмір фоточутливої поверхні 0.8 x 0.8 мм Кількість елементів 1 Типова фоточутливість 0.06 А/Вт Типовий час наростання 3 мкс -
Вы можете задать любой интересующий вас вопрос по товару или работе компании.
Наши квалифицированные специалисты обязательно вам помогут.