Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu G12183-010K фотодіод InGaAs PIN, Ø1mm, 0.9 - 2.6μm, TO-18
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G12183-010K
InGaAs PIN photodiode
Особливості:
- Довжина хвилі зрізу: 2,6 мкм
- Фоточутлива поверхня: ∅ 1 мм
- Низький рівень шуму
- Висока чутливість
- Висока надійність
- Високошвидкісний відгук
Характеристики
Спектральній діапазон мін. нм 900 нм Спектральній діапазон макс. нм 2600 нм Корпус / Виконання TO-18 Пік спектрального діапазону, нм 2300 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅1 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Типова фоточутливість 1.3 А/Вт Макс. темновий струм 30000 нА Частота зрізу 6 МГц Термінальна ємність 500 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії