Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
Hamamatsu G12182-010K фотодіод InGaAs PIN, Ø1mm, 0.9 - 2.1μm, TO-18
Артикул:
G12182-010K
Ø1 мм, 0.9 - 2.1мкм, 1.2 А/Вт, TO-18, G12182-010K Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G12182-010K
InGaAs PIN photodiode
Особливості:
- Довжина хвилі зрізу: 2,1 мкм
- Фоточутлива поверхня: ∅ 1 мм
- Низький рівень шуму
- Висока чутливість
- Висока надійність
- Високошвидкісний відгук
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 2100 нм Корпус / Виконання TO-18 Пік спектрального діапазону, нм 1950 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅1 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Типова фоточутливість 1.2 А/Вт Макс. темновий струм 1000 нА Частота зрізу 10 МГц Термінальна ємність 230 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії