Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
18 Червня 2020
Підбірка новин Hamamatsu News 2020 Vol. 1
13 Травня 2020
Навіть волосину в пачці чіпсів видно з новою X-ray камерою
9 Квітня 2020
Pyreos сприяє виробникам апаратів штучного дихання
Hamamatsu G12181-230K фотодіод InGaAs PIN, Ø3mm, 0.9 - 1.85μm, TO-8, TE-cooled
Артикул:
G12181-230K
Ø3 мм, 0.9 - 1.85мкм, 1.1 А/Вт, TO-8, Two-stage TE-cooled, G12181-230K Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G12181-230K з охолодженням
InGaAs PIN photodiode
Особливості:
- Довжина хвилі зрізу: 1,85 мкм
- Двоступеневе термоелектричне охолодження
- Фоточутлива поверхня: ∅ 3 мм
- Низький рівень шуму
- Висока чутливість
- Висока надійність
- Високошвидкісний відгук
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 1850 нм Корпус / Виконання TO-8 Пік спектрального діапазону, нм 1750 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅3 мм Кількість елементів 1 Охолодження двоступеневе термоелектричне Типова фоточутливість 1.1 А/Вт Макс. темновий струм 50 нА Частота зрізу 1.9 МГц Термінальна ємність 1700 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії