Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu G12181-205K фотодіод InGaAs PIN, Ø0.5mm, 0.9 - 1.85μm, TO-8, TE-cooled
Артикул:
G12181-205K
Ø0.5 мм, 0.9 - 1.85мкм, 1.1 А/Вт, TO-8, Two-stage TE-cooled, G12181-205K Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G12181-205K з охолодженням
InGaAs PIN photodiode
Особливості:
- Довжина хвилі зрізу: 1,85 мкм
- Двоступеневе термоелектричне охолодження
- Фоточутлива поверхня: ∅ 0,5 мм
- Низький рівень шуму
- Висока чутливість
- Висока надійність
- Високошвидкісний відгук
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 1850 нм Корпус / Виконання TO-8 Пік спектрального діапазону, нм 1750 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅0.5 мм Кількість елементів 1 Охолодження двоступеневе термоелектричне Типова фоточутливість 1.1 А/Вт Макс. темновий струм 1.5 нА Частота зрізу 53 МГц Термінальна ємність 60 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії