Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
Hamamatsu G12181-130K фотодіод InGaAs PIN, Ø3mm, 0.9 - 1.87μm, TO-8, TE-cooled
Артикул:
G12181-130K
Ø3 мм, 0.9 - 1.87мкм, 1.1 А/Вт, TO-8, One-stage TE-cooled, G12181-130K Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G12181-130K з охолодженням
InGaAs PIN photodiode
Особливості:
- Довжина хвилі зрізу: 1,87 мкм
- Одноступеневе термоелектричне охолодження
- Фоточутлива поверхня: ∅ 3 мм
- Низький рівень шуму
- Висока чутливість
- Висока надійність
- Високошвидкісний відгук
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 1870 нм Корпус / Виконання TO-8 Пік спектрального діапазону, нм 1750 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅3 мм Кількість елементів 1 Охолодження одноступеневе термоелектричне Типова фоточутливість 1.1 А/Вт Макс. темновий струм 100 нА Частота зрізу 1.8 МГц Термінальна ємність 1800 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії