Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
Hamamatsu G12181-005K фотодіод InGaAs PIN, Ø0.5mm, 0.9 - 1.9μm, TO-18
Артикул:
G12181-005K
Ø0.5 мм, 0.9 - 1.9мкм, 1.1 А/Вт, TO-18, G12181-005K Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G12181-005K
InGaAs PIN photodiode
Особливості:
- Довжина хвилі зрізу: 1,9 мкм
- Фоточутлива поверхня: ∅ 0,5 мм
- Низький рівень шуму
- Висока чутливість
- Висока надійність
- Високошвидкісний відгук
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 1900 нм Корпус / Виконання TO-18 Пік спектрального діапазону, нм 1750 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅0.5 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Типова фоточутливість 1.1 А/Вт Макс. темновий струм 30 нА Частота зрізу 35 МГц Термінальна ємність 70 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії