Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
13 Березня 2020
Спектрометри StellarNet надійно працюють у космосі
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
Hamamatsu G12180-150A фотодіод InGaAs PIN, Ø5mm, 0.9 - 1.67μm, TO-8, TE-cooled
Артикул:
G12180-150A
Ø5 мм, 0.9 - 1.67мкм, 1.1 А/Вт, TO-8, One-stage TE-cooled, G12180-150A Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G12180-150A з охолодженням
InGaAs PIN photodiode
Особливості:
- Низький рівень шуму, низький темновий струм
- Низька термінальна ємність
- Світлочутлива поверхня: ∅5 мм
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 1670 нм Корпус / Виконання TO-8 Пік спектрального діапазону, нм 1550 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅5 мм Кількість елементів 1 Охолодження одноступеневе термоелектричне Типова фоточутливість 1.1 А/Вт Макс. темновий струм 1.67 нА Частота зрізу 3 МГц Термінальна ємність 1000 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії