Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
27 Грудня 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 3
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
Hamamatsu G12180-120A фотодіод InGaAs PIN, ∅2mm, 0.9 - 1.67μm, TE-cooled
Артикул:
G12180-120A
∅2 мм, 900 - 1670 нм, одноступеневе термоелектричне охолодження
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G12180-120A
InGaAs PIN photodiode
Особливості:
- Низький рівень шуму, низький темновий струм
- Розмір фоточутливої поверхні: ∅2 мм
- Низька термінальна ємність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 1670 нм Корпус / Виконання TO-8 Пік спектрального діапазону, нм 1550 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅2 мм Кількість елементів 1 Охолодження одноступеневе термоелектричне Типова фоточутливість 1.1 А/Вт Макс. темновий струм 0.5 нA Частота зрізу 13 МГц Термінальна ємність 250 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії