Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu G12180-050A фотодіод InGaAs PIN, Ø5mm, 0.9 - 1.7μm, TO-8
Артикул:
G12180-050A
Розмір світлочутливої поверхні - φ5 мм,
спектральний діапазон - 0.9 до 1.7 мкм
спектральний діапазон - 0.9 до 1.7 мкм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G12180-050A
InGaAs PIN photodiode
Особливості:- Низький рівень шуму та низький темновий струм.
- Активна область: 5 мм діаметр.
- Низька термінальна ємність
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 1700 нм Корпус / Виконання TO-8 Пік спектрального діапазону, нм 1550 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅5 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Типова фоточутливість 0.9 А/Вт Макс. темновий струм 25 нА Частота зрізу 3 МГц Термінальна ємність 1000 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії