Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
7 Жовтня 2019
CERN підписав три нові контракти з Hamamatsu
30 Вересня 2019
Селток Фотонікс прийняв участь у виставці LABCompIEX
28 Серпня 2019
Автономна посадка літака з відеокамерою Photonfocus
Hamamatsu G11193-10R фотодіод InGaAs PIN, Ø1mm, 0.9 - 1.7μm, SMD
Артикул:
G11193-10R
Розмір світлочутливої поверхні - φ1 мм,
спектральний діапазон - 0.9 до 1.7 мкм
спектральний діапазон - 0.9 до 1.7 мкм
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G11193-10R
InGaAs PIN photodiode
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 900 нм Спектральний діапазон макс. нм 1700 нм Корпус / Виконання SMD / кераміка Пік спектрального діапазону, нм 1550 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅1 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Типова фоточутливість 1 А/Вт Макс. темновий струм 4 нА Частота зрізу 60 МГц Термінальна ємність 55 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії