Будьте завжди в курсі!
Дізнавайтесь про новітні розробки першими
Новини
Всі новини
4 Лютого 2019
Підбірка новин Hamamatsu News 2019 Vol. 1
6 Листопада 2018
Нове високостабільне джерело світла від Hamamatsu
9 Жовтня 2018
ФЕП для комп’ютерної радіографії
Hamamatsu G10899-02K фотодіод InGaAs PIN, Ø2mm, 0.5 - 1.7μm, TO-5
Артикул:
G10899-02K
Ø02 мм, 0.5 - 1.7мкм, 1 А/Вт, TO-5, G10899-02K Хамамацу
Детальніше
Під замовлення
-
+
- Опис
- Задати питання
-
InGaAs PIN фотодіод Hamamatsu G10899-02K
InGaAs PIN photodiode
Особливості:
- Широкий діапазон спектральної чутливості (0.5 до 1.7 нм).
- Низький рівень шуму та низький темновий струм.
- Активна поверхня: ∅ 2 мм
Характеристики
Спектральний діапазон мін. нм 500 нм Спектральний діапазон макс. нм 1700 нм Корпус / Виконання TO-5 Пік спектрального діапазону, нм 1550 нм Розмір фоточутливої поверхні ∅2 мм Кількість елементів 1 Охолодження без охолодження Типова фоточутливість 1 А/Вт Макс. темновий струм 25 нА Частота зрізу 10 МГц Термінальна ємність 300 пФ -
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії