Новини

Всі новини

4 Вересня 2023

FPD-Link III та GMSL2 - нові можливості камер Alvium

3 Квітня 2023

Нова світлодіодна УФ-піч від UWAVE

28 Березня 2023

Нові потужні УФ-LED джерела світла для полімеризації від UWAVE

Cтатті

Всі статті

HADAR – виявлення та визначення дальності за допомогою тепла

Квантова заплутаність подвоює роздільну здатність мікроскопа

Компактний спектрометр з багатофокусною металінзою

Головна-Каталог-

Джерела випромінювання

Джерела інфрачервоного випромінювання

-Axetris EMIRS200 602.994 джерело ІЧ випромінювання, TO39, Sapphire, reflector 1, front vented

Axetris EMIRS200 602.994 джерело ІЧ випромінювання, TO39, Sapphire, reflector 1, front vented

Артикул: EMIRS200 602.994

Джерело інфрачервоного випромінювання Axetris EMIRS200 602.994

Детальніше

3 660 грн. З ПДВ

Є в наявності (1)

- +

Додати до списку

Надіслати запит

Технічний довідник

Джерела інфрачервоного випромінювання Axetris 6,718мб/PDF

Datasheet EMIRS200 TO39 with Reflector 1 919,5 кб/PDF

Опис
Задати питання

Джерело інфрачервоного випромінювання Axetris EMIRS200 602.994
Infrared Source

Особливості
- Спектр випромінювання близький до спектру абсолютно чорного тіла (2 до 14 мкм)
- Висока інтенсивність випромінювання
- Високошвидкісна електрична модуляція
- Високий коефіцієнт амплітудної модуляції
- Низьке енергоспоживання
- Тривалий термін експлуатації
- MEMS технологія
Принципи вимірювань:
- Недисперсійна інфрачервона спектроскопія (NDIR)
- Фотоакустична спектроскопія (PAS)
- Метод порушеного повного внутрішнього відбиття (ATR)
Гази що детектуються:
CO, CO₂, VOC, NOx, NH3, SOx, SF6, вуглеводні, водяна пара,
анестетики, холодоагенти, спиртові випари

Використання:
Медицина:
- Капнографія
- Контроль анестезії
- Моніторинг дихання
- Легенева діагностика
- Аналіз крові на склад газів
Промисловість:
- Виявлення горючих і токсичних газів
- Моніторинг холодоагентів
- Виявлення полум'я
- Моніторинг дозрівання плодів
- Моніторинг SF6
- Виробництво напівпровідників
Екологія:
- Опалення, вентиляція та кондиціонування повітря (HVAC)
- Моніторинг якості та кількості повітря
Технічні характеристики:
- Корпус - TO39
- Має рефлектор
- Матеріал вікна - Сапфір
- Робоча температура - 450°C при 450мВт
- Коефіцієнт амплітудної модуляції - 80% при 20Гц, 50% при 50Гц
- Інтенсивність випромінювання: > 0.85
- Термін експлуатації: > 10 років (при температурі < 500°C)
- Електричний опір в холодному стані - 45 (35-55)* Ом
- Електричний опір в нагрітому стані - 72 (54-89)* Ом
- Напруга - 5.2 В при 450мВт
- Струм - 86мА при 450мВт
*Зазначені значення опору є значеннями, які були виміряні до експлуатації джерела випромінювання. Будь ласка, зверніть увагу, що ці значення можуть змінюватися з часом експлуатації джерела ІЧ випромінювання.
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії

Axetris EMIRS200 602.994 джерело ІЧ випромінювання, TO39, Sapphire, reflector 1, front vented

UAH 3660

Джерело інфрачервоного випромінювання Axetris EMIRS200 602.994 Infrared Source Особливості Спектр випромінювання близький до спектру абсолютно чорного тіла (2 до 14 мкм) Висока інтенсивність випромінювання Високошвидкісна електрична модуляція Високий коефіцієнт амплітудної модуляції Низьке енергоспоживання Тривалий термін експлуатації MEMS технологія Принципи вимірювань: Недисперсійна інфрачервона спектроскопія (NDIR) Фотоакустична спектроскопія (PAS) Метод порушеного повного внутрішнього відбиття (ATR) Гази що детектуються: CO, CO₂, VOC, NOx, NH3, SOx, SF6, вуглеводні, водяна пара, анестетики, холодоагенти, спиртові випари Використання: Медицина: Капнографія Контроль анестезії Моніторинг дихання Легенева діагностика Аналіз крові на склад газів Промисловість: Виявлення горючих і токсичних газів Моніторинг холодоагентів Виявлення полум'я Моніторинг дозрівання плодів Моніторинг SF6 Виробництво напівпровідників Екологія: Опалення, вентиляція та кондиціонування повітря (HVAC) Моніторинг якості та кількості повітря Технічні характеристики: Корпус - TO39 Має рефлектор Матеріал вікна - Сапфір Робоча температура - 450°C при 450мВт Коефіцієнт амплітудної модуляції - 80% при 20Гц, 50% при 50Гц Інтенсивність випромінювання: > 0.85 Термін експлуатації: > 10 років (при температурі < 500°C) Електричний опір в холодному стані - 45 (35-55)* Ом Електричний опір в нагрітому стані - 72 (54-89)* Ом Напруга - 5.2 В при 450мВт Струм - 86мА при 450мВт *Зазначені значення опору є значеннями, які були виміряні до експлуатації джерела випромінювання. Будь ласка, зверніть увагу, що ці значення можуть змінюватися з часом експлуатації джерела ІЧ випромінювання.

Задати питання

Питання *

Ваше ім'я *

Телефон *

E-mail

Введіть текст із малюнка *

Рекомендовані товари
Персональні рекомендації

- Axetris IRS LabKit G1 602.777 плата розробника для джерел ІЧ випромінювання EMIRS200 та EMIRS50
  
  Є в наявності (1)
  
  21 540 грн.
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.431 джерело ІЧ випромінювання, TO46, no window, reflector 5, back vented
  
  Є в наявності (1)
  
  2 748 грн.
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.429 джерело ІЧ випромінювання, TO46, with cap, front vented
  
  Є в наявності (1)
  
  2 640 грн.
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.410 джерело ІЧ випромінювання, TO46, chip on header
  
  Є в наявності (1)
  
  2 562 грн.
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS200 602.993 джерело ІЧ випромінювання, TO39, CaF2, reflector 1, front vented
  
  Під замовлення
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.940 джерело ІЧ випромінювання, TO46, reflector 6, back vented
  
  Під замовлення
  
  Детальніше