Новини

Всі новини

17 Липня 2024

Новий фрейм-грабер FireBird Dual CXP-12 від Active Silicon

15 Травня 2024

Нове покоління камер AF-Zoom від Active Silicon

9 Травня 2024

Нова інтеграційна сфера QYPro від Edinburgh Instruments

Cтатті

Всі статті

Новий лазер на чіпі заповнює зелену прогалину в спектрі

Камера, що приховує інформацію про об’єкт у звичайних зображеннях

Поляризаційна система реєстрації зображень на основі метаповерхонь

Головна-Каталог-

Джерела випромінювання

Джерела інфрачервоного випромінювання

-Axetris EMIRS200 601.800 джерело ІЧ випромінювання, TO39, Sapphire, reflector 3, front vented

Axetris EMIRS200 601.800 джерело ІЧ випромінювання, TO39, Sapphire, reflector 3, front vented

Артикул: EMIRS200 601.800

Джерело інфрачервоного випромінювання Axetris EMIRS200 601.800

Детальніше

4 938 грн. З ПДВ

Є в наявності (1)

- +

Додати в кошик

Купити в 1 клік

Технічний довідник

Джерела інфрачервоного випромінювання Axetris 6,718мб/PDF

Datasheet EMIRS200 TO39 Reflector 3 with CaF2 or Sapphire 739 кб/PDF

Опис
Задати питання

Джерело інфрачервоного випромінювання Axetris EMIRS200 601.800
Infrared Source

Особливості

Спектр випромінювання близький до спектру абсолютно чорного тіла (2 до 14 мкм)
Висока інтенсивність випромінювання
Високошвидкісна електрична модуляція
Високий коефіцієнт амплітудної модуляції
Низьке енергоспоживання
Тривалий термін експлуатації
MEMS технологія

Принципи вимірювань:

Недисперсійна інфрачервона спектроскопія (NDIR)
Фотоакустична спектроскопія (PAS)
Метод порушеного повного внутрішнього відбиття (ATR)

Гази що детектуються:
CO, CO₂, VOC, NOx, NH3, SOx, SF6, вуглеводні, водяна пара,
анестетики, холодоагенти, спиртові випари

Використання:

Медицина:

Капнографія
Контроль анестезії
Моніторинг дихання
Легенева діагностика
Аналіз крові на склад газів

Промисловість:

Виявлення горючих і токсичних газів
Моніторинг холодоагентів
Виявлення полум'я
Моніторинг дозрівання плодів
Моніторинг SF6
Виробництво напівпровідників

Екологія:

Опалення, вентиляція та кондиціонування повітря (HVAC)
Моніторинг якості та кількості повітря

Технічні характеристики:

Корпус - TO39
Має рефлектор
Матеріал вікна - Сапфір
Робоча температура - 450°C при 450мВт
Коефіцієнт амплітудної модуляції - 80% при 20Гц, 50% при 50Гц
Інтенсивність випромінювання: > 0.85
Термін експлуатації: > 10 років (при температурі < 500°C)
Електричний опір в холодному стані - 45 (35-55)* Ом
Електричний опір в нагрітому стані - 72 (54-89)* Ом
Напруга - 5.2 В при 450мВт
Струм - 86мА при 450мВт

*Зазначені значення опору є значеннями, які були виміряні до експлуатації джерела випромінювання. Будь ласка, зверніть увагу, що ці значення можуть змінюватися з часом експлуатації джерела ІЧ випромінювання.

Характеристики

Корпус	TO39
Вікно	Sapphire
Тип рефлектора	Рефлектор 3

Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії

Axetris EMIRS200 601.800 джерело ІЧ випромінювання, TO39, Sapphire, reflector 3, front vented

UAH 4938

Корпус

TO39

Вікно

Sapphire

Тип рефлектора

Рефлектор 3

Джерело інфрачервоного випромінювання Axetris EMIRS200 601.800 Infrared Source Особливості Спектр випромінювання близький до спектру абсолютно чорного тіла (2 до 14 мкм) Висока інтенсивність випромінювання Високошвидкісна електрична модуляція Високий коефіцієнт амплітудної модуляції Низьке енергоспоживання Тривалий термін експлуатації MEMS технологія Принципи вимірювань: Недисперсійна інфрачервона спектроскопія (NDIR) Фотоакустична спектроскопія (PAS) Метод порушеного повного внутрішнього відбиття (ATR) Гази що детектуються: CO, CO₂, VOC, NOx, NH3, SOx, SF6, вуглеводні, водяна пара, анестетики, холодоагенти, спиртові випари Використання: Медицина: Капнографія Контроль анестезії Моніторинг дихання Легенева діагностика Аналіз крові на склад газів Промисловість: Виявлення горючих і токсичних газів Моніторинг холодоагентів Виявлення полум'я Моніторинг дозрівання плодів Моніторинг SF6 Виробництво напівпровідників Екологія: Опалення, вентиляція та кондиціонування повітря (HVAC) Моніторинг якості та кількості повітря Технічні характеристики: Корпус - TO39 Має рефлектор Матеріал вікна - Сапфір Робоча температура - 450°C при 450мВт Коефіцієнт амплітудної модуляції - 80% при 20Гц, 50% при 50Гц Інтенсивність випромінювання: > 0.85 Термін експлуатації: > 10 років (при температурі < 500°C) Електричний опір в холодному стані - 45 (35-55)* Ом Електричний опір в нагрітому стані - 72 (54-89)* Ом Напруга - 5.2 В при 450мВт Струм - 86мА при 450мВт *Зазначені значення опору є значеннями, які були виміряні до експлуатації джерела випромінювання. Будь ласка, зверніть увагу, що ці значення можуть змінюватися з часом експлуатації джерела ІЧ випромінювання.

Задати питання

Питання *

Ваше ім'я *

Телефон *

E-mail

Введіть текст із малюнка *

Рекомендовані товари
Персональні рекомендації

- Axetris EMIRS50 603.940 джерело ІЧ випромінювання, TO46, reflector 6, back vented
  
  Є в наявності (1)
  
  2 430 грн.
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.431 джерело ІЧ випромінювання, TO46, no window, reflector 5, back vented
  
  Є в наявності (1)
  
  2 748 грн.
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.429 джерело ІЧ випромінювання, TO46, with cap, front vented
  
  Під замовлення
  
  2 640 грн.
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.410 джерело ІЧ випромінювання, TO46, chip on header
  
  Є в наявності (1)
  
  2 562 грн.
  
  Детальніше