Новини

Всі новини

18 Червня 2020

Підбірка новин Hamamatsu News 2020 Vol. 1

13 Травня 2020

Навіть волосину в пачці чіпсів видно з новою X-ray камерою

9 Квітня 2020

Pyreos сприяє виробникам апаратів штучного дихання

Cтатті

Всі статті

Терагерцові QCL лазери

Фотометричні одиниці

Що таке лазер?

Головна-Каталог-

Джерела світла

Джерела інфрачервоного випромінювання

-Axetris EMIRS200 600.451 джерело ІЧ випромінювання, TO39, no window, reflector 1

Axetris EMIRS200 600.451 джерело ІЧ випромінювання, TO39, no window, reflector 1

Артикул: EMIRS200 600.451

Джерело інфрачервоного випромінювання Axetris EMIRS200 600.451

Детальніше

Є в наявності (7)

- +

Додати до списку

Надіслати запит

Технічний довідник

Джерела інфрачервоного випромінювання Axetris 6,718мб/PDF

Datasheet EMIRS200 600.451 723,1 кб/PDF

Опис
Задати питання

Джерело інфрачервоного випромінювання Axetris EMIRS200 600.451
Infrared Source

Особливості
- Спектр випромінювання близький до спектру абсолютно чорного тіла (2 до 14 мкм)
- Висока інтенсивність випромінювання
- Високошвидкісна електрична модуляція
- Високий коефіцієнт амплітудної модуляції
- Низьке енергоспоживання
- Тривалий термін експлуатації
- MEMS технологія
Принципи вимірювань:
- Недисперсійна інфрачервона спектроскопія (NDIR)
- Фотоакустична спектроскопія (PAS)
- Метод порушеного повного внутрішнього відбиття (ATR)
Гази що детектуються:
CO, CO₂, VOC, NOx, NH3, SOx, SF6, вуглеводні, водяна пара,
анестетики, холодоагенти, спиртові випари

Використання:
Медицина:
- Капнографія
- Контроль анестезії
- Моніторинг дихання
- Легенева діагностика
- Аналіз крові на склад газів
Промисловість:
- Виявлення горючих і токсичних газів
- Моніторинг холодоагентів
- Виявлення полум'я
- Моніторинг дозрівання плодів
- Моніторинг SF6
- Виробництво напівпровідників
Екологія:
- Опалення, вентиляція та кондиціонування повітря (HVAC)
- Моніторинг якості та кількості повітря
Технічні характеристики:
- Корпус - TO39
- Має рефлектор
- Матеріал вікна - без вікна
- Робоча температура - 450°C при 450мВт
- Коефіцієнт амплітудної модуляції - 80% при 20Гц, 50% при 50Гц
- Інтенсивність випромінювання: > 0.85
- Термін експлуатації: > 10 років (при температурі < 500°C)
- Електричний опір в холодному стані - 45 (35-55)* Ом
- Електричний опір в нагрітому стані - 72 (54-89)* Ом
- Напруга - 5.2 В при 450мВт
- Струм - 86мА при 450мВт
*Зазначені значення опору є значеннями, які були виміряні до експлуатації джерела випромінювання. Будь ласка, зверніть увагу, що ці значення можуть змінюватися з часом експлуатації джерела ІЧ випромінювання.
Ви можете надіслати питання щодо продукції та роботи компанії

Axetris EMIRS200 600.451 джерело ІЧ випромінювання, TO39, no window, reflector 1

UAH 0

Джерело інфрачервоного випромінювання Axetris EMIRS200 600.451 Infrared Source Особливості Спектр випромінювання близький до спектру абсолютно чорного тіла (2 до 14 мкм) Висока інтенсивність випромінювання Високошвидкісна електрична модуляція Високий коефіцієнт амплітудної модуляції Низьке енергоспоживання Тривалий термін експлуатації MEMS технологія Принципи вимірювань: Недисперсійна інфрачервона спектроскопія (NDIR) Фотоакустична спектроскопія (PAS) Метод порушеного повного внутрішнього відбиття (ATR) Гази що детектуються: CO, CO₂, VOC, NOx, NH3, SOx, SF6, вуглеводні, водяна пара, анестетики, холодоагенти, спиртові випари Використання: Медицина: Капнографія Контроль анестезії Моніторинг дихання Легенева діагностика Аналіз крові на склад газів Промисловість: Виявлення горючих і токсичних газів Моніторинг холодоагентів Виявлення полум'я Моніторинг дозрівання плодів Моніторинг SF6 Виробництво напівпровідників Екологія: Опалення, вентиляція та кондиціонування повітря (HVAC) Моніторинг якості та кількості повітря Технічні характеристики: Корпус - TO39 Має рефлектор Матеріал вікна - без вікна Робоча температура - 450°C при 450мВт Коефіцієнт амплітудної модуляції - 80% при 20Гц, 50% при 50Гц Інтенсивність випромінювання: > 0.85 Термін експлуатації: > 10 років (при температурі < 500°C) Електричний опір в холодному стані - 45 (35-55)* Ом Електричний опір в нагрітому стані - 72 (54-89)* Ом Напруга - 5.2 В при 450мВт Струм - 86мА при 450мВт *Зазначені значення опору є значеннями, які були виміряні до експлуатації джерела випромінювання. Будь ласка, зверніть увагу, що ці значення можуть змінюватися з часом експлуатації джерела ІЧ випромінювання.

Задати питання

Питання *

Ваше ім'я *

Телефон *

E-mail

Введіть текст із малюнка *

Рекомендовані товари
Персональні рекомендації

- Axetris EMIRS50 603.431 джерело ІЧ випромінювання, TO46, no window, reflector 5, back vented
  
  Є в наявності (1)
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.410 джерело ІЧ випромінювання, TO46, chip on header
  
  Є в наявності (1)
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.429 джерело ІЧ випромінювання, TO46, with cap, front vented
  
  Є в наявності (1)
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS50 603.940 джерело ІЧ випромінювання, TO46, reflector 6, back vented
  
  Є в наявності (2)
  
  Детальніше
- Axetris IRS LabKit плата розробника для джерел ІЧ випромінювання EMIRS200 та EMIRS50
  
  Є в наявності (1)
  
  Детальніше
- Axetris EMIRS200 602.993 джерело ІЧ випромінювання, TO39, CaF2, reflector 1, front vented
  
  Є в наявності (3)
  
  Детальніше